Dansk
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om os | Kontakt os | Anmode om et tilbud |
Hjem > Produkter > Integrerede kredsløb (IC'er) > Hukommelse > MT41K256M16TW-125:P
MT41K256M16TW-125:P
Varenummer:
MT41K256M16TW-125:P
Fabrikant:
Micron Technology
Beskrivelse:
IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
77013 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
MT41K256M16TW-125:P.pdf
Forespørgsel

Introduktion

MT41K256M16TW-125:P bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for MT41K256M16TW-125:P, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for MT41K256M16TW-125:P via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Skriv cyklus Tid - Ord, Side:-
Spænding - Supply:1.283 V ~ 1.45 V
Teknologi:SDRAM - DDR3L
Serie:-
Driftstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Hukommelsestype:Volatile
Hukommelsesstørrelse:4Gb (256M x 16)
Memory Interface:Parallel
Hukommelsesformat:DRAM
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Detaljeret beskrivelse:SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 800MHz 20ns
Urfrekvens:800MHz
Adgangstid:20ns
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer

Relaterede dele til MT41K256M16TW-125:P

Billede Varenummer producenter Beskrivelse Udsigt
MT41K256M16TW-107 AT:P TR Micron Technology MEMORY DRAM Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 AUT:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Forespørgsel
MT41K256M16V00HWC1 Micron Technology IC FLASH NAND 32GX8 TSOP Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 V:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Forespørgsel
MT41K256M16V80AWC1 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL DIE Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 V:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Forespørgsel
MT41K256M4DA-107:J Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Image MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Image MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Forespørgsel
MT41K256M16V00HWC1-N001 Micron Technology DDR3 4G DIE 256MX16 Forespørgsel
MT41K256M4DA-107:J TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Forespørgsel
MT41K256M8DA-107 AAT:K Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Forespørgsel
MT41K256M16V90BWC1 Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL DIE Forespørgsel
MT41K256M4JP-15E:G TR Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Forespørgsel
MT41K256M16TW-107 XIT:P Image MT41K256M16TW-107 XIT:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Forespørgsel
MT41K256M16TW-107:P TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Forespørgsel
MT41K256M4JP-15E:G Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Forespørgsel
MT41K256M16TW-107:P Image MT41K256M16TW-107:P Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Forespørgsel
MT41K256M4JP-125:G Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA Forespørgsel

Laast News