Dansk
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om os | Kontakt os | Anmode om et tilbud |
Hjem > Produkter > Diskrete halvlederprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > JAN1N5617US
JAN1N5617US
Varenummer:
JAN1N5617US
Fabrikant:
Microsemi
Beskrivelse:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel
Antal:
73307 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
JAN1N5617US.pdf
Forespørgsel

Introduktion

JAN1N5617US bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for JAN1N5617US, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for JAN1N5617US via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis:1.6V @ 3A
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max):400V
Leverandør Device Package:D-5A
Fart:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/429
Reverse Recovery Time (trr):150ns
Emballage:Bulk
Pakke / tilfælde:SQ-MELF, A
Andre navne:1086-2107
1086-2107-MIL
Driftstemperatur - Junction:-65°C ~ 175°C
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:8 Weeks
Blyfri Status / RoHS Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Diodetype:Standard
Detaljeret beskrivelse:Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr:500nA @ 400V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io):1A
Kapacitans @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer

Relaterede dele til JAN1N5617US

Billede Varenummer producenter Beskrivelse Udsigt
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5614 Image JAN1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5622US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A Forespørgsel
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5554US Image JAN1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B Forespørgsel
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5620US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Forespørgsel
JAN1N5619US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Forespørgsel
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Forespørgsel
JAN1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Forespørgsel
JAN1N5622 Image JAN1N5622 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Forespørgsel
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Forespørgsel
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A Forespørgsel
JAN1N5553US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF Forespørgsel
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Forespørgsel

Laast News