IRFSL9N60ATRL
IRFSL9N60ATRL
Varenummer:
IRFSL9N60ATRL
Fabrikant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Indeholder bly / RoHS ikke-kompatibel
Antal:
85669 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
IRFSL9N60ATRL.pdf

Introduktion

IRFSL9N60ATRL bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for IRFSL9N60ATRL, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for IRFSL9N60ATRL via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I2PAK
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max):170W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Blyfri Status / RoHS Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):600V
Detaljeret beskrivelse:N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:9.2A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer