GA05JT12-263
GA05JT12-263
Varenummer:
GA05JT12-263
Fabrikant:
GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse:
TRANS SJT 1200V 15A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
70977 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
GA05JT12-263.pdf

Introduktion

GA05JT12-263 bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for GA05JT12-263, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for GA05JT12-263 via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
Teknologi:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Leverandør Device Package:D2PAK (7-Lead)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Power Dissipation (Max):106W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Andre navne:1242-1184
GA05JT12-220ISO
GA05JT12220ISO
Driftstemperatur:175°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:18 Weeks
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
FET Type:-
FET-funktion:-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On):-
Afløb til Source Voltage (VDSS):1200V
Detaljeret beskrivelse:1200V 15A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer