TPCC8A01-H(TE12LQM
TPCC8A01-H(TE12LQM
Part Number:
TPCC8A01-H(TE12LQM
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis:
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
49973 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
1.TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf2.TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf

Úvod

TPCC8A01-H(TE12LQM nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem TPCC8A01-H(TE12LQM, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro TPCC8A01-H(TE12LQM e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSV-H
RDS On (Max) @ Id, Vgs:9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Ztráta energie (Max):700mW (Ta), 30W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-PowerVDFN
Ostatní jména:TPCC8A01-H(TE12LQMTR
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:N-Channel 30V 21A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře