| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | H2Pak-2 |
| Série: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 3 mOhm @ 40A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 158W (Tc) |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | 497-16314-1 |
| Provozní teplota: | 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 38 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 60V |
| Detailní popis: | N-Channel 60V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
