SQJA00EP-T1_GE3
SQJA00EP-T1_GE3
Part Number:
SQJA00EP-T1_GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
39404 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SQJA00EP-T1_GE3.pdf

Úvod

SQJA00EP-T1_GE3 nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem SQJA00EP-T1_GE3, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro SQJA00EP-T1_GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:13 mOhm @ 10A, 10V
Ztráta energie (Max):48W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8
Ostatní jména:SQJA00EP-T1_GE3DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Detailní popis:N-Channel 60V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře