| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 50V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
| Dodavatel zařízení Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série: | - |
| Resistor - emitorová základna (R2): | 10 kOhms |
| Rezistor - základna (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 246mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Ostatní jména: | SMMUN2211LT3G-ND SMMUN2211LT3GOSTR |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 36 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Detailní popis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Číslo základní části: | MMUN22**L |
| Email: | [email protected] |
