| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Power - Max: | 7.8W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Ostatní jména: | SIA975DJ-T1-GE3TR SIA975DJT1GE3 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 6V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 8V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 12V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Číslo základní části: | SIA975 |
| Email: | [email protected] |
