SIA511DJ-T1-GE3
SIA511DJ-T1-GE3
Part Number:
SIA511DJ-T1-GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
46369 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SIA511DJ-T1-GE3.pdf

Úvod

SIA511DJ-T1-GE3 nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem SIA511DJ-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro SIA511DJ-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power - Max:6.5W
Obal:Cut Tape (CT)
Paket / krabice:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ostatní jména:SIA511DJ-T1-GE3CT
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 6V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 8V
Typ FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):12V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:4.5A
Číslo základní části:SIA511
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře