SI7983DP-T1-GE3
SI7983DP-T1-GE3
Part Number:
SI7983DP-T1-GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
33241 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SI7983DP-T1-GE3.pdf

Úvod

SI7983DP-T1-GE3 nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem SI7983DP-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro SI7983DP-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:1V @ 600µA
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8 Dual
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 12A, 4.5V
Power - Max:1.4W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8 Dual
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:74nC @ 4.5V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Detailní popis:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:7.7A
Číslo základní části:SI7983
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře