| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V |
| Power - Max: | 3.1W |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | SI4943CDY-T1-GE3DKR |
| Provozní teplota: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1945pF @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
| Detailní popis: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Číslo základní části: | SI4943 |
| Email: | [email protected] |
