| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 4.4mA |
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Technika: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247 |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 117 mOhm @ 10A, 18V |
| Ztráta energie (Max): | 262W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | SCH2080KECU |
| Provozní teplota: | 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1850pF @ 800V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 106nC @ 18V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 18V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 1200V |
| Detailní popis: | N-Channel 1200V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
