| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Série: | - |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 20A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 660mW (Ta), 38.5W (Tc) |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-PowerWDFN |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1755pF @ 12V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 11.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 11.5V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
| Detailní popis: | N-Channel 30V 7.5A (Ta), 57A (Tc) 660mW (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 7.5A (Ta), 57A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
