| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 35V |
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 20mA, 2A |
| Transistor Type: | PNP |
| Dodavatel zařízení Package: | ChipFET™ |
| Série: | - |
| Power - Max: | 635mW |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SMD, Flat Lead |
| Ostatní jména: | NSS35200CF8T1G-ND NSS35200CF8T1GOSTR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 2 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvence - Přechod: | 100MHz |
| Detailní popis: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 635mW Surface Mount ChipFET™ |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 2V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max): | 100nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 2A |
| Číslo základní části: | NSS35200 |
| Email: | [email protected] |
