Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Integrované obvody (IC) > Paměť > MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Part Number:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Výrobce:
Micron Technology
Popis:
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
71620 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR.pdf
Dotaz

Úvod

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem MT47H64M8SH-25E AAT:H TR, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro MT47H64M8SH-25E AAT:H TR e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Napište čas cyklu - slovo,:15ns
Napětí - Supply:1.7 V ~ 1.9 V
Technika:SDRAM - DDR2
Série:-
Obal:Tape & Reel (TR)
Ostatní jména:MT47H64M8SH-25E AAT:H TR-ND
MT47H64M8SH-25EAAT:HTR
Provozní teplota:-40°C ~ 105°C (TA)
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):3 (168 Hours)
Typ paměti:Volatile
Velikost paměti:512Mb (64M x 8)
Paměťové rozhraní:Parallel
Formát paměti:DRAM
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detailní popis:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
Frekvence hodin:400MHz
přístupová doba:400ps
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
MT47H64M8JN-25E IT:G Image MT47H64M8JN-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47R256M8EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8CF-25E L:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47R128M8CF-25:H Image MT47R128M8CF-25:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8CF-25E L:G Image MT47H64M8CF-25E L:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8JN-25E:G Image MT47H64M8JN-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8CF-25E:G Image MT47H64M8CF-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8CF-25E IT:G TR Image MT47H64M8CF-25E IT:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47R512M4EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47R128M8CF-3:H Image MT47R128M8CF-3:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8CF-25E:G TR Image MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8SH-25E AAT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Dotaz
MT47H64M8CF-25E IT:G Image MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8SH-187E:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ Dotaz
MT47R64M16HR-25:H Image MT47R64M16HR-25:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Dotaz
MT47R256M4CF-3:H Image MT47R256M4CF-3:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8SH-25E AIT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Dotaz
MT47R256M4CF-25E:H Image MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Dotaz

Latest News