| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | IPAK (TO-251) |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 42A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 140W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Ostatní jména: | *IRFU1010ZPBF SP001567720 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 55V |
| Detailní popis: | N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
