| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.7V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-262 |
| Série: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 5.1 mOhm @ 65A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 160W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Ostatní jména: | SP001557648 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4555pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 6V, 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 60V |
| Detailní popis: | N-Channel 60V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
