| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - Test: | 900pF @ 25V |
| Napětí - Rozdělení: | D-Pak |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 125 mOhm @ 11A, 10V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | HEXFET® |
| Stav RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 18A (Tc) |
| Polarizace: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IRFR18N15DTR |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 43nC @ 10V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Rozšířený popis: | N-Channel 150V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | - |
| Popis: | MOSFET N-CH 150V 18A DPAK |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 150V |
| kapacitní Ratio: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
