| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
| Série: | HEXFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Obal: | Cut Tape (CT) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Ostatní jména: | IRF7343QTRPBFCT |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 740pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Standard |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 55V |
| Detailní popis: | Mosfet Array N and P-Channel 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 4.7A, 3.4A |
| Číslo základní části: | IRF7343QPBF |
| Email: | [email protected] |
