| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 1.24mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO263-3 |
| Série: | CoolMOS™ C7 |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 24.9A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 227W (Tc) |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Ostatní jména: | IPB60R040C7ATMA1DKR |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 400V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 650V |
| Detailní popis: | N-Channel 650V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
