| Stav | New and Original |
|---|---|
| Původ | Contact us |
| Distributor | Boser Technology |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 12A (DC) |
| Napětí - Rozdělení: | PG-TO247-3 |
| Série: | thinQ!™ |
| Stav RoHS: | Tube |
| Reverse Time Recovery (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Odpor při IF, F: | 360pF @ 1V, 1MHz |
| Polarizace: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | IDW12G65C5 IDW12G65C5-ND SP000937044 |
| Provozní teplota - spojení: | 0ns |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | IDW12G65C5FKSA1 |
| Rozšířený popis: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| Konfigurace dioda: | 500µA @ 650V |
| Popis: | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 1.7V @ 12A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode): | 650V |
| Kapacitní @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
