GP2M002A065CG
GP2M002A065CG
Part Number:
GP2M002A065CG
Výrobce:
Global Power Technologies Group
Popis:
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
44076 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
GP2M002A065CG.pdf

Úvod

GP2M002A065CG nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem GP2M002A065CG, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro GP2M002A065CG e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:D-Pak
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Ztráta energie (Max):52W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:353pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:8.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Detailní popis:N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře