EPC2019
EPC2019
Part Number:
EPC2019
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bez olova / V souladu RoHS
Množství:
62105 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
EPC2019.pdf

Úvod

EPC2019 nejlepší cenu a rychlé dodání.
BOSER Technology je distributorem EPC2019, máme zásoby pro okamžitou expedici a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky. Prosím, pošlete nám svůj nákupní plán pro EPC2019 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New and Original
Původ Contact us
Distributor Boser Technology
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technika:GaNFET (Gallium Nitride)
Dodavatel zařízení Package:Die
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 7A, 5V
Ztráta energie (Max):-
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-1087-2
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):200V
Detailní popis:N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře