STI12N65M5
STI12N65M5
Номер на частта:
STI12N65M5
Производител:
STMicroelectronics
описание:
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
43439 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
STI12N65M5.pdf

Въведение

STI12N65M5 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за STI12N65M5, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за STI12N65M5 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (макс):±25V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:I2PAK
серия:MDmesh™ V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:430 mOhm @ 4.3A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):70W (Tc)
Опаковка:Tube
Пакет / касета:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Други имена:497-11326-5
Работна температура:150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:900pF @ 100V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:22nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):650V
Подробно описание:N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Latest News