| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 1mA |
| Vgs (макс): | ±12V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | 6-UDFN (2x2) |
| серия: | U-MOSVII-H |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 185 mOhm @ 1A, 8V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 1W (Ta) |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Други имена: | SSM6H19NU,LF(B SSM6H19NU,LF(T SSM6H19NULFTR |
| Работна температура: | 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 130pF @ 10V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.2nC @ 4.2V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 8V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 40V |
| Подробно описание: | N-Channel 40V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
