SQJ914EP-T1_GE3
SQJ914EP-T1_GE3
Номер на частта:
SQJ914EP-T1_GE3
Производител:
Electro-Films (EFI) / Vishay
описание:
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
47690 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
SQJ914EP-T1_GE3.pdf

Въведение

SQJ914EP-T1_GE3 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за SQJ914EP-T1_GE3, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за SQJ914EP-T1_GE3 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Пакет на доставчик на устройства:PowerPAK® SO-8 Dual
серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 4.5A, 10V
Мощност - макс:27W (Tc)
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:PowerPAK® SO-8 Dual
Други имена:SQJ914EP-T1_GE3TR
Работна температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:1110pF @ 15V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:25nC @ 10V
Тип FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Standard
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):30V
Подробно описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Latest News