SIHB22N60S-GE3
SIHB22N60S-GE3
Номер на частта:
SIHB22N60S-GE3
Производител:
Electro-Films (EFI) / Vishay
описание:
MOSFET N-CH 650V TO263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
55260 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
SIHB22N60S-GE3.pdf

Въведение

SIHB22N60S-GE3 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за SIHB22N60S-GE3, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за SIHB22N60S-GE3 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (макс):±30V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:D²PAK (TO-263)
серия:S
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 11A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):250W (Tc)
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:2.81nF @ 25V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:110nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):600V
Подробно описание:N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Latest News