| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 850mV @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±5V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | 4-Microfoot |
| серия: | TrenchFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 84 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Други имена: | SI8445DB-T2-E1TR SI8445DBT2E1 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 700pF @ 10V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 16nC @ 5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
| Подробно описание: | P-Channel 20V 9.8A (Tc) 1.8W (Ta), 11.4W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 9.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
