Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - RF > NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A
NE3514S02-T1C-A
Номер на частта:
NE3514S02-T1C-A
Производител:
CEL (California Eastern Laboratories)
описание:
HJ-FET NCH 10DB S02
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
71849 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
1.NE3514S02-T1C-A.pdf2.NE3514S02-T1C-A.pdf
Разследване

Въведение

NE3514S02-T1C-A най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за NE3514S02-T1C-A, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за NE3514S02-T1C-A по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Изпитване на напрежение:2V
Напрежение - оценено:4V
Транзисторен тип:HFET
Пакет на доставчик на устройства:S02
серия:-
Мощност - изход:-
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:4-SMD, Flat Leads
Шумовата фигура:0.75dB
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Печалба:10dB
Честота:20GHz
Подробно описание:RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 10dB S02
Текуща оценка:70mA
Текущ тест:10mA
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за NE3514S02-T1C-A

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
NE3521M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI Разследване
NE3521M04-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI Разследване
NE3514S02-A Image NE3514S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 10DB S02 Разследване
NE3516S02-A Image NE3516S02-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX Разследване
NE3515S02-T1C-A Image NE3515S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Разследване
NE3512S02-A Image NE3512S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Разследване
NE3510M04-T2-A Image NE3510M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Разследване
NE3515S02-A Image NE3515S02-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Разследване
NE3513M04-T2-A Image NE3513M04-T2-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Разследване
NE3516S02-T1C-A Image NE3516S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX Разследване
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) IC AMP RF LNA 13.5DB S02 Разследване
NE3512S02-T1C-A Image NE3512S02-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Разследване
NE3510M04-A Image NE3510M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 4GHZ M04 Разследване
NE3513M04-T2B-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Разследване
NE3520S03-A Image NE3520S03-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Разследване
NE3515S02-T1D-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 Разследване
NE3520S03-T1C-A Image NE3520S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Разследване
NE3513M04-A Image NE3513M04-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD Разследване
NE3511S02-A Image NE3511S02-A CEL (California Eastern Laboratories) HJ-FET NCH 13.5DB S02 Разследване
NE3517S03-T1C-A CEL (California Eastern Laboratories) FET RF 4V 20GHZ S03 Разследване

Latest News