Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Интегрални схеми (интегрални схеми) > памет > MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Номер на частта:
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR
Производител:
Micron Technology
описание:
IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
64088 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR.pdf
Разследване

Въведение

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Пишете време за цикъл - Word, Page:-
Напрежение - Доставка:1.1V
технология:SDRAM - Mobile LPDDR4
серия:-
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Други имена:MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR-ND
MT53B512M64D4PV-053WTES:CTR
Работна температура:-30°C ~ 85°C (TC)
Ниво на чувствителност към влага (MSL):3 (168 Hours)
Тип памет:Volatile
Размер на паметта:32Gb (512M x 64)
Интерфейс на паметта:-
Формат на паметта:DRAM
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Подробно описание:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz
Честота на часовника:1866MHz
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
MT53B512M64D4PV-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ Разследване
MT53B512M64D4PV-053 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NW-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NW-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ Разследване
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ Разследване
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4TX-053 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA Разследване
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ Разследване

Latest News