Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Интегрални схеми (интегрални схеми) > памет > MT47H64M8SH-187E:H TR
MT47H64M8SH-187E:H TR
Номер на частта:
MT47H64M8SH-187E:H TR
Производител:
Micron Technology
описание:
IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
60668 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
MT47H64M8SH-187E:H TR.pdf
Разследване

Въведение

MT47H64M8SH-187E:H TR най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за MT47H64M8SH-187E:H TR, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за MT47H64M8SH-187E:H TR по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Пишете време за цикъл - Word, Page:15ns
Напрежение - Доставка:1.7 V ~ 1.9 V
технология:SDRAM - DDR2
серия:-
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Други имена:MT47H64M8SH-187E:H TR-ND
MT47H64M8SH-187E:HTR
Работна температура:0°C ~ 85°C (TC)
Ниво на чувствителност към влага (MSL):3 (168 Hours)
Тип памет:Volatile
Размер на паметта:512Mb (64M x 8)
Интерфейс на паметта:Parallel
Формат на паметта:DRAM
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Подробно описание:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 533MHz 350ps
Честота на часовника:533MHz
Време за достъп:350ps
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за MT47H64M8SH-187E:H TR

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
MT47H64M8CF-25E L:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E IT:G Image MT47H64M8CF-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E:G Image MT47H64M8CF-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E:G TR Image MT47H64M8CF-25E:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47R256M8EB-25E:C Micron Technology IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8SH-25E:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8SH-25E AAT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Разследване
MT47H64M8JN-25E IT:G Image MT47H64M8JN-25E IT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47R128M8CF-3:H Image MT47R128M8CF-3:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8SH-25E IT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E AIT:G Image MT47H64M8CF-25E AIT:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47R128M8CF-25:H Image MT47R128M8CF-25:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Разследване
MT47H64M8JN-25E:G Image MT47H64M8JN-25E:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8SH-25E AIT:H Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E IT:G TR Image MT47H64M8CF-25E IT:G TR Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47R256M4CF-3:H Image MT47R256M4CF-3:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47R256M4CF-25E:H Image MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Разследване
MT47H64M8CF-25E L:G Image MT47H64M8CF-25E L:G Micron Technology IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Разследване

Latest News