Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - RF > IXZ308N120
IXZ308N120
IXZ308N120
Номер на частта:
IXZ308N120
Производител:
IXYS Corporation
описание:
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
40871 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
IXZ308N120.pdf
Разследване

Въведение

IXZ308N120 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за IXZ308N120, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за IXZ308N120 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Напрежение - оценено:1200V
Напрежение - Разбивка:-
серия:Z-MOS™
Състояние на RoHS:Tube
поляризация:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Шумовата фигура:-
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Производител Стандартно време за доставка:10 Weeks
Номер на частта на производителя:IXZ308N120
Честота:-
Тип FET:-
Разширено описание:RF Mosfet N-Channel
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):-
описание:RF MOSFET N-CHANNEL DE375
Текуща оценка:1mA
Текущ тест:-
Ток - колектор (Ic) (макс.):N-Channel
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за IXZ308N120

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
IXZ-2510 Image IXZ-2510 InvenSense MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN Разследване
IXZ2210N50L2 Image IXZ2210N50L2 IXYS RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 Разследване
IXZ210N50L2 Image IXZ210N50L2 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 Разследване
PTFA092213ELV4T400XWSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC RF FET LDMOS H-33288-6 Разследване
BG3130H6327XTSA1 Image BG3130H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 Разследване
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL Разследване
IXZR08N120A-00 Image IXZR08N120A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZR18N50 Image IXZR18N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZ210N50L IXYS Corporation N-CHANNEL RF MOSFET 175MH Разследване
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZH10N50L2B Image IXZH10N50L2B IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Разследване
IXZ631DF12N100 Image IXZ631DF12N100 IXYS RF IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA Разследване
IXZH10N50L2A Image IXZH10N50L2A IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Разследване
IXZ631DF18N50 Image IXZ631DF18N50 IXYS RF 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET Разследване
IXZR18N50A-00 Image IXZR18N50A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZ316N60 Image IXZ316N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 Разследване
IXZR16N60 Image IXZR16N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
IXZR08N120B-00 Image IXZR08N120B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Разследване
AFT26H050W26SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 Разследване

Latest News