español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > IXZ308N120
IXZ308N120
IXZ308N120
Número de pieza:
IXZ308N120
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
RF MOSFET N-CHANNEL DE375
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
40871 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IXZ308N120.pdf
Investigación

Introducción

IXZ308N120 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de IXZ308N120, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para IXZ308N120 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Calificación:1200V
Tensión - Desglose:-
Serie:Z-MOS™
Estado RoHS:Tube
Polarización:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Figura de ruido:-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXZ308N120
Frecuencia:-
Tipo FET:-
Descripción ampliada:RF Mosfet N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Descripción:RF MOSFET N-CHANNEL DE375
Valoración actual:1mA
Corriente - Prueba:-
Corriente - colector (Ic) (Max):N-Channel
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXZ308N120

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXZ-2510 Image IXZ-2510 InvenSense MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN Investigación
IXZ2210N50L2 Image IXZ2210N50L2 IXYS RF RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 Investigación
IXZ210N50L2 Image IXZ210N50L2 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE275 Investigación
PTFA092213ELV4T400XWSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) IC RF FET LDMOS H-33288-6 Investigación
BG3130H6327XTSA1 Image BG3130H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 Investigación
IXZ318N50 Image IXZ318N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL Investigación
IXZR08N120A-00 Image IXZR08N120A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
IXZR18N50 Image IXZR18N50 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
IXZ210N50L IXYS Corporation N-CHANNEL RF MOSFET 175MH Investigación
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
IXZH10N50L2B Image IXZH10N50L2B IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Investigación
IXZ631DF12N100 Image IXZ631DF12N100 IXYS RF IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA Investigación
IXZH10N50L2A Image IXZH10N50L2A IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 Investigación
IXZ631DF18N50 Image IXZ631DF18N50 IXYS RF 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET Investigación
IXZR18N50A-00 Image IXZR18N50A-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
IXZR08N120 Image IXZR08N120 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
IXZ316N60 Image IXZ316N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL DE375 Investigación
IXZR16N60 Image IXZR16N60 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
IXZR08N120B-00 Image IXZR08N120B-00 IXYS RF RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 Investigación
AFT26H050W26SR3 NXP Semiconductors / Freescale FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 Investigación

Latest Noticias