| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±16V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | I-PAK |
| серия: | HEXFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 31 mOhm @ 21A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 68W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Други имена: | *IRLU3303PBF SP001577150 |
| Работна температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 870pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 26nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 30V |
| Подробно описание: | N-Channel 30V 35A (Tc) 68W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
