| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±20V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | IPAK (TO-251) |
| серия: | HEXFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 27 mOhm @ 26A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 107W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Други имена: | *IRFU1205 |
| Работна температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 55V |
| Подробно описание: | N-Channel 55V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
