GP2M020A050N
GP2M020A050N
Номер на частта:
GP2M020A050N
Производител:
Global Power Technologies Group
описание:
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
64422 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
GP2M020A050N.pdf

Въведение

GP2M020A050N най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за GP2M020A050N, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за GP2M020A050N по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (макс):±30V
технология:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет на доставчик на устройства:TO-3PN
серия:-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 10A, 10V
Разсейване на мощност (макс.):312W (Tc)
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:TO-3P-3, SC-65-3
Работна температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Through Hole
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:2880pF @ 25V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:44nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):10V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):500V
Подробно описание:N-Channel 500V 20A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Latest News