| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-3P |
| серия: | QFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 9A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 120W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Работна температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 100V |
| Подробно описание: | P-Channel 100V 18A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
