| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (макс): | +6V, -4V |
| технология: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Пакет на доставчик на устройства: | Die |
| серия: | eGaN® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 500mA, 5V |
| Разсейване на мощност (макс.): | - |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | Die |
| Други имена: | 917-1072-1 |
| Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 12 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 52pF @ 20V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 0.45nC @ 5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 40V |
| Подробно описание: | N-Channel 40V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
