Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2023ENG
EPC2023ENG
EPC2023ENG
Номер на частта:
EPC2023ENG
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
47445 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
EPC2023ENG.pdf
Разследване

Въведение

EPC2023ENG най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за EPC2023ENG, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за EPC2023ENG по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 20mA
Vgs (макс):+6V, -4V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
Пакет на доставчик на устройства:Die
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:1.3 mOhm @ 40A, 5V
Разсейване на мощност (макс.):-
Опаковка:Tray
Пакет / касета:Die
Други имена:917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
Работна температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:2300pF @ 15V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:20nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):5V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):30V
Подробно описание:N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2023ENG

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Разследване
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Разследване
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE Разследване
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Разследване
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Разследване
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE Разследване
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Разследване
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Разследване
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE Разследване
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Разследване

Latest News