Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Транзистори - FETs, MOSFETs - единични > EPC2016
EPC2016
EPC2016
Номер на частта:
EPC2016
Производител:
EPC
описание:
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
69391 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
EPC2016.pdf
Разследване

Въведение

EPC2016 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за EPC2016, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за EPC2016 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA
Vgs (макс):+6V, -5V
технология:GaNFET (Gallium Nitride)
Пакет на доставчик на устройства:Die
серия:eGaN®
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 11A, 5V
Разсейване на мощност (макс.):-
Опаковка:Tape & Reel (TR)
Пакет / касета:Die
Други имена:917-1027-2
Работна температура:-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds:520pF @ 50V
Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs:5.2nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Feature:-
Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On):5V
Изтичане към източника на напрежение (Vdss):100V
Подробно описание:N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die
Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за EPC2016

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Разследване
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Разследване
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Разследване
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Разследване
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Разследване
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Разследване
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Разследване
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Разследване
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Разследване
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Разследване
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Разследване
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Разследване
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE Разследване
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Разследване
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Разследване
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Разследване
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Разследване

Latest News