| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Vgs (макс): | +15V, -4V |
| технология: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-263-7 |
| серия: | C3M™ |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 113.6W (Tc) |
| Опаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Пакет / касета: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1350pF @ 1000V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 51nC @ 15V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 15V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 1200V |
| Подробно описание: | N-Channel 1200V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
