| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 3mA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | TO-247 [B] |
| серия: | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 44A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 431W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-247-3 |
| Други имена: | APT60N60BCSGMI APT60N60BCSGMI-ND |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Through Hole |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 18 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 7200pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 190nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 600V |
| Подробно описание: | N-Channel 600V 60A (Tc) 431W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Изображение | Номер на частта | Производители | описание | изглед |
|---|---|---|---|---|
 |
APT60M75JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 | Разследване |
|
APT60M75JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | Разследване |
 |
APT64GA90B | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO247 | Разследване |
 |
APT60S20SG/TR | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK | Разследване |
 |
APT60S20B2CTG | Microsemi | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX | Разследване |
|
APT60S20SG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 | Разследване |
 |
APT60M80JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227 | Разследване |
|
APT60M75JVFR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227 | Разследване |
|
APT60M75JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | Разследване |
 |
APT60M80L2VRG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX | Разследване |
|
APT64GA90LD30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-264 | Разследване |
 |
APT64GA90B2D30 | Microsemi | IGBT 900V 117A 500W TO-247 | Разследване |
 |
APT60S20BG | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 | Разследване |
 |
APT60N60SCSG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | Разследване |
|
APT65GP60B2G | Microsemi | IGBT 600V 100A 833W TMAX | Разследване |
|
APT60M60JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 | Разследване |
|
APT60M60JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227 | Разследване |
|
APT60N60SCSG/TR | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK | Разследване |
|
APT60M75L2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | Разследване |
|
APT60M75L2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX | Разследване |