| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (макс): | ±30V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | D3Pak |
| серия: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 14A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 415W (Tc) |
| Опаковка: | Tube |
| Пакет / касета: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 21 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 4525pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 500V |
| Подробно описание: | N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3Pak |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Изображение | Номер на частта | Производители | описание | изглед |
|---|---|---|---|---|
 |
APT30GP60B2DLG | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TMAX | Разследване |
|
APT30DQ60BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Разследване |
 |
APT30GP60JDQ1 | Microsemi | IGBT 600V 67A 245W SOT227 | Разследване |
|
APT30GP60BG | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TO247 | Разследване |
|
APT30DS20HJ | Microsemi | DIODE MODULE 200V SOT227 | Разследване |
|
APT30DQ120BCTG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Разследване |
|
APT30F50B | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | Разследване |
 |
APT30GF60JU2 | Microsemi | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | Разследване |
 |
APT30DQ60BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 | Разследване |
 |
APT30GP60LDLG | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TO264 | Разследване |
|
APT30GF60JU3 | Microsemi | IGBT 600V 58A 192W SOT227 | Разследване |
|
APT30DQ120BG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Разследване |
|
APT30GP60BDQ1G | Microsemi | IGBT 600V 100A 463W TO247 | Разследване |
|
APT30DQ60BHBG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247 | Разследване |
|
APT30DS60BG | Microsemi | DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247 | Разследване |
|
APT30GN60BDQ2G | Microsemi | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Разследване |
 |
APT30DQ60KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 30A TO220 | Разследване |
|
APT30GN60BG | Microsemi | IGBT 600V 63A 203W TO247 | Разследване |
 |
APT30DQ120KG | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220 | Разследване |
 |
APT30F60J | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 | Разследване |