Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Дискретни полупроводникови продукти > Диоди - токоизправители - единични > 1N6624US
1N6624US
Номер на частта:
1N6624US
Производител:
Microsemi
описание:
DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Съдържа олово / RoHS несъответстващо
количество:
63225 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
1N6624US.pdf
Разследване

Въведение

1N6624US най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за 1N6624US, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за 1N6624US по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако:1.55V @ 1A
Напрежение - DC обратна (Vr) (макс.):990V
Пакет на доставчик на устройства:A-MELF
скорост:Fast Recovery = 200mA (Io)
серия:-
Време за обратно възстановяване (trr):50ns
Опаковка:Bulk
Пакет / касета:SQ-MELF, A
Работна температура - връзка:-65°C ~ 150°C
Тип монтаж:Surface Mount
Ниво на чувствителност към влага (MSL):1 (Unlimited)
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Тип диод:Standard
Подробно описание:Diode Standard 990V 1A Surface Mount A-MELF
Текущо - обратно изтичане @ Vr:500nA @ 990V
Текущи - Средно ректифицирани (Io):1A
Капацитет @ Vr, F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за 1N6624US

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
1N6549 Microsemi DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG Разследване
1N6620 Image 1N6620 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL Разследване
1N6627US Image 1N6627US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF Разследване
1N6622 Image 1N6622 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL Разследване
1N6625US Image 1N6625US Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF Разследване
1N6621US Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF Разследване
1N6629 Image 1N6629 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL Разследване
1N6623 Image 1N6623 Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL Разследване
1N6628 Image 1N6628 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL Разследване
1N6626 Image 1N6626 Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL Разследване
1N6628US Image 1N6628US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF Разследване
1N6620US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF Разследване
1N6626US Image 1N6626US Microsemi DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF Разследване
1N6622US Microsemi DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF Разследване
1N6621 Image 1N6621 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL Разследване
1N6627 Image 1N6627 Microsemi DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL Разследване
1N6625 Image 1N6625 Microsemi DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Разследване
1N6623US Microsemi DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF Разследване
1N6624 Microsemi DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK Разследване
1N6625E3 Image 1N6625E3 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL Разследване

Latest News