| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - اختبار: | 2050pF @ 300V |
| الجهد - انهيار: | TO-220SIS |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
| فغس (ماكس): | 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | DTMOSIV |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17A (Ta) |
| الاستقطاب: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TK17A80W,S4X |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 32nC @ 10V |
| نوع IGBT: | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4V @ 850µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 800V |
| نسبة السعة: | 45W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
