TC58BVG1S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc. ذاكرة

TC58BVG1S3HBAI4

رقم القطعة:: TC58BVG1S3HBAI4

الصانع:: Toshiba Memory America, Inc.

وصف:: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 40518 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: TC58BVG1S3HBAI4.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر TC58BVG1S3HBAI4 وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ TC58BVG1S3HBAI4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على TC58BVG1S3HBAI4 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	25ns
الجهد - توريد:	2.7 V ~ 3.6 V
تكنولوجيا:	FLASH - NAND (SLC)
تجار الأجهزة حزمة:	63-TFBGA (9x11)
سلسلة:	Benand™
حزمة / كيس:	63-VFBGA
درجة حرارة التشغيل:	-40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع:	Surface Mount
نوع الذاكرة:	Non-Volatile
حجم الذاكرة:	2Gb (256M x 8)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	FLASH
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لTC58BVG1S3HBAI4

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
TC58BVG1S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58BVG0S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA	تحقيق
TC58BYG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58BVG0S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58BVG0S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC572502ECTTR	Micrel / Microchip Technology	IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5	تحقيق
TC58BVG1S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58BYG1S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE	تحقيق
TC57	Cornell Dubilier Electronics	CAP ALUM 30UF 250V AXIAL	تحقيق
TC58BVG2S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC58BYG0S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE	تحقيق
TC58BVG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58BVG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق
TC58	Cornell Dubilier Electronics	CAP ALUM 40UF 250V AXIAL	تحقيق
TC573002ECTTR	Micrel / Microchip Technology	IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5	تحقيق
TC573302ECTTR	Micrel / Microchip Technology	IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5	تحقيق
TC58BVG2S0HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
TC55RP4002ECB713	Micrel / Microchip Technology	IC REG LINEAR 4V 200MA SOT23A-3	تحقيق
TC58BVG2S0HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA	تحقيق
TC58BYG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار