STI12NM50N
STI12NM50N
رقم القطعة:
STI12NM50N
الصانع:
STMicroelectronics
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
68243 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
STI12NM50N.pdf

المقدمة

أفضل سعر STI12NM50N وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ STI12NM50N ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على STI12NM50N عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:MDmesh™ II
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:380 mOhm @ 5.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):100W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:940pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف تفصيلي:N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Through Hole I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات