STH275N8F7-6AG
STH275N8F7-6AG
رقم القطعة:
STH275N8F7-6AG
الصانع:
STMicroelectronics
وصف:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية:
74559 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
STH275N8F7-6AG.pdf

المقدمة

أفضل سعر STH275N8F7-6AG وسرعة التسليم.
BOSER Technology هو الموزع لـ STH275N8F7-6AG ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على STH275N8F7-6AG عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New and Original
الأصل Contact us
موزع Boser Technology
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:H2PAK-6
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.1 mOhm @ 90A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):315W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
اسماء اخرى:497-15474-2
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:38 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:13600pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:193nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):80V
وصف تفصيلي:N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات