| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 2mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 33A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 175W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP000013952 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 135nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
